原标题：Vishay 先进封装技术，如何赋能高功率密度 MOSFET 设计？两个案例告诉你~~

　　在今天的功率电子系统中，MOSFET 承载的电流和功率越来越大，而产品的尺寸却越来越紧凑，这就使得功率密度成为功率 MOSFET 选型时一个需要重点考量的指标。

　　想要提升 MOSFET 的功率密度，在前道工艺中采用先进的材料和制程，不断降低器件的导通和开关损耗，无疑是一条有效的技术路径；与此同时，在后道工艺中通过先进的封装技术，实现高效的热管理，有利于简化散热系统设计，降低 PCB 和相邻元器件的温度，减少系统的热应力，在进一步优化功率密度上也发挥着重要的作用。

　　因此，将高能效的器件设计与先进的封装技术相结合，已经成为今天功率 MOSFET 产品迭代升级的大趋势。这一趋势，在 Vishay 新一代功率 MOSFET 上体现得淋漓尽致。

　　图 1：PowerPAK 1212-F 封装 SiSD5300DN 30 V N 沟道 MOSFET

　　图 2：采用 PowerPAK 1212-F 封装的 SiSD5300DN 具有更好的热性能

　　特别值得一提的是，由于该功率 MOSFET 采用了独特的顶侧冷却封装解决方案，与采用底侧冷却的 D2PAK 封装相比，占位面积节省 52.4 %，高度降低 66 %，结壳（漏极）热阻 R thjc 仅为 0.25 °C/W，在相同导通电阻下额定电流增加 45 %，从而显著提高可额定功率和功率密度，这使其成为 3 kW 以下电源解决方案的理想选择。

　　图4：新型顶侧冷却 PowerPAK® 8 x 8 LR 封装与传统的底侧冷却 D2PAK 封装相比，具有更佳的热性能，在相同功率下具有更低的器件和 PCB 温度。

　　在功率电子系统的设计中，具有更高功率密度的 MOSFET 可以带来更高的能效、热效率、电流输出，以及板级可靠性。Vishay 将先进的封装技术与创新的器件设计相结合，打造出了具有出色高功率密度的、品类丰富的功率 MOSFET 产品。